Este es el mayor avance en la historia de los chips. Sillicon Valley tendrá que cambiar el nombre por Hafnium Valley. No hace mucho un chip de 65 nanómetros (nm) dio de qué hablar en el mundo de las computadoras, aunque tenía problemas de sobrecalentamiento y pérdida de información. Un chip semejante, de 65 nm, podía almacenar en el diámetro de un pelo humano 1.000 millones de transistores. El nuevo transistor de 45 nm(Intel® 45nm Transistor Technology) puede almacenar 2.000 millones de transistores.

El material usado, el hafnium, actualmente usado en los reactores nucleares, reemplazará en muy poco tiempo a la silicona. Intel asegura que puede doblar la densidad del chip “making computers faster and reducing the cost of powering transistors by almost a third”.

IBM, unas horas después del anuncio de Intel, hizo público que también trabajaba en un transistor de hafnium en colaboración con Advanced Micro Devices… AMD, la competencia de Intel, colabora con IBM… llegan tarde. La noticia es explosiva y en el alboroto, por lo menos, ganó Intel.

La producción comenzará a mediados de 2007. En dos años, la computadora más rápida duplicará su velocidad y la Ley de Moore sigue presente en el universo tecnológico: Cada dos años, el doble de capacidad.

El dossier de Intel, con todas las explicaciones y enlaces a las fotos pueden encontrarlas aquí.

Algo de historia: En el 1959 se desarrolló el primer semiconductor de ‘sillicon’. En el 1972 se usó por primera vez la palabra microprocesador. En el 1974, Intel fabrica el 8080, de 4.500 transitores y 64 Kilobites de memoria (¿qué pensarán los jóvenes que ya usan 2 y 4 Gigabites?). En el 1980 los micropocesadores, inicialmente diseñados para calculadoras, se usaron en computadoras, televisores, teléfonos, iPods y una larga lista que resulta imposible nombrar completa.

Fuentes y otros enlaces:

Media Kit de Intel; Blog de Intel; Vídeo del chip de 45 nm de Intel; Fotos del chip de 45 nm; Analysts: Latest breakthroughs won’t alter chip race; Computers ready to break speed limit in Hafnium Valley; IBM high performance High-k Metal Gates for 45 nm CMOS and Beyond With Gate-First Processing (PDF);

En español: Buenas noticias para la Ley de Moore (muy instructivo)